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2021-03-19
高溫鐵電測試儀可以測量鐵電材料的電滯回線，飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場Ec、漏電流、疲勞、保持、I-V和開關(guān)特性等性能的測試，能夠較測量鐵電薄膜的鐵電性能。目前該系統(tǒng)測量溫度800°C,可配置薄膜和塊體測量夾具，可廣泛應用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷、鐵電器件及存儲器等領(lǐng)域的研究。高溫鐵電測試儀測試系統(tǒng)采用虛地模式測量電路，與傳統(tǒng)的Sawyer-Tower模式相比，此電路取消了外接電容，可減小寄生元件的影響。此電路的測試精度僅取決于積分器積分電容的精度，減少了對測試的影響環(huán)節(jié)...2021-03-19
鐵電老化現(xiàn)象鐵電老化現(xiàn)象又稱為時效現(xiàn)象，鐵電材料發(fā)生老化現(xiàn)象主要表現(xiàn)在兩方面。首先是老化現(xiàn)象對鐵電性的影響：材料在電場作用下由剛開始時的單電滯回線變成雙電滯回線。如圖1.4所示，紅色線段的為材料剛做好，處在新鮮的鐵電態(tài)時在電場作用下表現(xiàn)出的單電滯回線，藍色線段則是材料放置一段時間后發(fā)生時效現(xiàn)象，在電場下表現(xiàn)出的雙電滯回線。當外加電場為零時，單電滯回線中材料的極化強度不是零，但是雙電滯回線中材料的極化強度變成零。由1.1對鐵電性的了解我們知道此時鐵電材料不再可以表達二進制，因此...2021-03-18
鐵電存儲器存儲單元結(jié)構(gòu)鐵電存儲器的存儲單元主要有兩部分構(gòu)成，分別是場效應管和電容。初研發(fā)出來的鐵電存儲器稱為“雙管雙容”，它的每個存儲單元有兩個場效應管和兩個電容，每個存儲單元都包含數(shù)據(jù)位和各自的參考位。后來美國鐵電公司設計開發(fā)了更“單管單容”存儲單元。單管單容的鐵電存儲器并不是對于每一數(shù)據(jù)位使用各自的參考位，而是數(shù)據(jù)位都使用同一個參考位。所以單管單容的鐵電存儲器產(chǎn)品的容量更大，而且生產(chǎn)成本也變的更低。但這里所說的電容不是我們常見的那種電容，在這種電容的兩個電極板中間沉淀了一...2021-03-18
鐵電存儲技術(shù)是在1921年早被科學家提出，一直到1993年，美國Ramtron公司才成功開發(fā)出第yi個容量只有4Kb的鐵電存儲器產(chǎn)品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲器產(chǎn)品都是由美國鐵電公司制造或*制造。鐵電存儲器在不需要電壓的情況下就可以保持數(shù)據(jù)，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那么鐵電存儲器是如何來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的呢？這是利用了鐵電晶體的鐵電效應。什么是鐵電效應?鐵電效應是指，將一定的電場強度施加在鐵電晶體上時，晶體中心原子在電場力的作用下產(chǎn)生運動，并且達到一...2021-03-17
存儲器存儲器從一開始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當代的*高水平；其二，半導體存儲器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個集成電路家族中也是*廣。數(shù)字存儲器發(fā)展到了今天，已經(jīng)有了很多不同的種類，其中占主導地位的是DRAM（dynamicrandomaccessmemories)，而人們視線*集中的就是近幾年有著快速發(fā)展的FRAM。隨著各種新的技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，人們對高性能的存儲器的需求也隨之變大。一種的存儲器成為這個領(lǐng)域*具...2021-03-12
相移：電路中的分布電容、漏電導，示波器的輸入阻抗及其X軸、Y軸的放大器等因素將引起相移。相移使得回線的波形發(fā)生畸變，進而影響特征參數(shù)的提取。高壓：測試儀的輸出電壓可以達到士5000V，需要進行分壓，然后才可以加到示波器的X軸。毛刺：在電滯回線的飽和支會出現(xiàn)一些曲折畸變的毛刺。迎常認為這些毛刺是由電路中的寄生振蕩引起。電路對比：電滯回線測量儀：頻率范圍：0.01Hz~10Hz；輸出電壓：士5000V；輸出波形：正弦波、三角波。鐵電體一般電介質(zhì)：在外加電場下產(chǎn)生極化，去掉電場極化...